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RM2304E中文资料

厂家型号

RM2304E

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7

功能描述

N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology.

数据手册

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生产厂商

RECTRON

RM2304E数据手册规格书PDF详情

FEATURES

RDS(ON)<60mΩ@VGS=10V

RDS(ON)<70mΩ@VGS=4.5V

RDS(ON)<100mΩ@VGS=2.5V

ESD Protection

Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

更新时间:2025-10-6 10:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NK/南科功率
2025+
SOT-23
986966
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24+
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