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厂家型号	RM2304E
文件大小	682.41Kbytes
页面数量	7页
功能描述	N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology.
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	RECTRON

FEATURES

RDS(ON)<60mΩ@VGS=10V

RDS(ON)<70mΩ@VGS=4.5V

RDS(ON)<100mΩ@VGS=2.5V

ESD Protection

Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

RM2304E供应商...

更新时间：2026-1-28 14:01:00

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