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RM2304E中文资料

厂家型号

RM2304E

丝印代码

2304

封装外壳

SOT-23

文件大小

682.41Kbytes

页面数量

7

功能描述

N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology.

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

RECTRON

RM2304E数据手册规格书PDF详情

FEATURES

RDS(ON)<60mΩ@VGS=10V

RDS(ON)<70mΩ@VGS=4.5V

RDS(ON)<100mΩ@VGS=2.5V

ESD Protection

Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC current capability