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RY2530S

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·DC Current Gain- : hFE= 25(Min)@IC = 1.5A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 60V(Min) ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for use in general purpose power amplifier and switching applica

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更新时间:2025-12-27 23:01:00
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