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芯片资料

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RU30L15H	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：994.82 Kbytes Page：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RU30L15H	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：2.1262 Mbytes Page：7 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

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更新时间：2025-8-6 23:00:00

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RU30L30M
RU30L30M PDFN3333 30L30 全新原装 P沟道 30V 30A MOS管
2021-12-29
RU30J41M
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2021-3-1
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2021-3-1
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2021-2-20
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2021-2-18
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2020-7-11