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RU1H36R

N-Channel Advanced Power MOSFET

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锐骏半导体

RU1H36R

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

RU1H36R

Trench MOSFET

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锐骏半导体

N-Channel Advanced Power MOSFET Super High Dense Cell Design

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锐骏半导体

N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

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杜因特

N-Channel Advanced Power MOSFET Super High Dense Cell Design

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锐骏半导体

更新时间:2025-10-25 23:00:00
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