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MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode Features • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package facilitating high-density mounting. [MOSFET] • Ultrahigh-speed switching. • 1.8V drive. [SBD] • Short rev

SANYO

三洋

Li-SO2 primary battery system

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SAFT

Li-SO2 primary battery system

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RF AMPLIFIER

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SPECTRUM

更新时间:2025-10-25 23:00:01
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    RTS5227S-GR 深圳市拓亿芯电子有限公司,本公司具备一般纳税人,可开16点增值税票, 货源渠道保证原厂原装正品IC,诚信为本,薄利多销。

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