型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RTQ020N05TR

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested

VBSEMI

微碧半导体

RTQ020N05TR

Nch 45V 2A Power MOSFET

文件:524.91 Kbytes Page:12 Pages

ROHM

罗姆

2.5V Drive Nch MOSFET

■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis

ROHM

罗姆

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching

VBSEMI

微碧半导体

Nch 45V 2A Power MOSFET

文件:524.91 Kbytes Page:12 Pages

ROHM

罗姆

Nch 45V 2A Small Signal MOSFET

文件:2.51026 Mbytes Page:14 Pages

ROHM

罗姆

Pch -45V -2A Small Signal MOSFET

文件:2.89998 Mbytes Page:14 Pages

ROHM

罗姆

RTQ020N05TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RTQ020N05TR

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-8 8:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
2022+PB
TSMT6
11800
ROHM
24+
SOT163
12000
原装正品 假一罚十 可拆样
ROHM/罗姆
24+
NA/
12250
原厂直销,现货供应,账期支持!
ROHM
2016+
SOT23-6
147000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
ROHM
24+
SOT23-6
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
ROHM
19+
TSMT6
12000
ROHM
24+
SOT163
5000
全新原装正品,现货销售
ROHM
17+
SOT23-6
6200
100%原装正品现货
原厂正品
23+
SOT23-6
5000
原装正品,假一罚十
ROHM
24+
SOT-163SOT-23-6
15200
新进库存/原装

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