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RTH23007-10

GaNDohertyHybridAmplifier

Description Accommodatingthefutureof4G/LTEsmallcells,RFHICintroducesRTH23007-10amplifierfabricatedusinganadvancedhighpowerdensityGalliumNitride(GaN)semiconductorprocess.Thishighperformanceamplifierachieveshighefficiencyof45,andpowers7Woverthefrequencyrange

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更新时间:2024-5-22 18:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RALEC
24+
2512
860000
明嘉莱只做原装正品现货
TYCO
2020+
DIP-6
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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2018+
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承若只做进口原装正品假一赔十!
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