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Bottom-sidecooled650VE-modeGaNtransistor

Features •650Venhancementmodepowertransistor •Bottom-sidecooledconfiguration •RDS(on)=100mΩ •IDS(max)=15A •Ultra-lowFOMdie •LowinductanceGaNPX®package •Simplegatedriverequirements(0Vto6V) •Transienttolerantgatedrive(-20V/+10V) •Veryhighswitchin

GAN

GaN Systems

GAN

6.35mmPitchBeauPCBTri-BarrierTerminalStrip,withoutMountingEnds

文件:34.56 Kbytes Page:2 Pages

MOLEX11Molex Electronics Ltd.

莫仕公司MOLEX莫仕公司

MOLEX11
更新时间:2024-5-1 16:26:01
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