| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RT9465 | 3A Single Cell Li-on Battery Slave Switching Charg 文件：268.27 Kbytes Page：28 Pages | RICHTEK 立锜科技 |   | |
RT9465 | 从属式开关模式单节锂离子电池充电IC | RICHTEK 立锜科技 | | |
封装/外壳：16-WFQFN 裸露焊盘 包装：管件 描述：IC BATT CHG LI-ION 1CELL 16WQFN 集成电路（IC） 电池充电器 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
3A Single Cell Li-on Battery Slave Switching Charg 文件：268.27 Kbytes Page：28 Pages | RICHTEK 立锜科技 | | ||
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 文件：1.030119 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement, Fast Switching Characteristic 文件：103.45 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：764.17 Kbytes Page：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：103.45 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：103.06 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RICHTEK |
24+ |
QFN |
11000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
RICHTEK/立锜 |
26+ |
WQFN-16 |
8620 |
绝对原装正品/真实库存/绝无虚假/支持送货 |
|||
Richtek USA Inc. |
25+ |
16-WFQFN 裸露焊盘 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
24+ |
N/A |
58000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
Richtek USA Inc. |
24+ |
36500 |
一级代理/放心采购 |
||||
RICHTEK |
23+ |
WQFN-16 |
17225 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RichtekUSAInc. |
24+ |
16-WQFN(3x3) |
66800 |
原厂授权一级代理,专注汽车、医疗、工业、新能源！ |
|||
RICHTEK/立锜 |
24+ |
WQFN-16 |
12000 |
真实库存/绝无虚假/支持送货 |
|||
RICHTEK/立锜 |
21+ |
WQFN |
18000 |
||||
RICHTEK |
21+ |
标准封装 |
50 |
保证原装正品,需要联系张小姐 13544103396 微信同号 |
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2023-5-15RT9293BGJ6
原装正品 RT9293BGJ6 RT9293 SOT23-6 DC/DC升压转换芯片
2021-12-29RT9193-3.3V 全新原装 大量现货
RT9193-3.3V 原装现货供应 0755-28892389 13713856319 QQ:2639752116
2021-3-12RT9711DGB 原装立錡现货
原厂很远 现货很近 坚持每一片芯片都来自原厂及授权渠道
2020-5-22RT9277BGF原装正品--假一赔十
瀚佳科技(深圳)有限公司 专业工厂一站式全套配单服务
2019-1-10RT9607/A-Dual通道同步整流降压MOSFET驱动器
RT9607/A-Dual通道同步整流降压MOSFET驱动器 RT9607/A是双电源沟道MOSFET驱动器专门设计的驱动器在四个功率N- MOSFET的同步整流降压转换器拓扑结构。这些立锜的一系列多相结合的驱动程序降压PWM控制器提供了一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。 RT9607/ A可以提供灵活的门为驾驶高侧和低侧驱动器。这使更多的灵活性 MOSFET的选择。 部分输出驱动器驱动一个3NF capble30/40ns负载的上升/下降时间与快速繁殖 从输入过渡延迟到了权力的大门MOSFET的。该设备实现上的引导需要
2012-11-5
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