| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RT9460WSC | Switch-Mode Single Cell Li-Ion Charger 文件：359.15 Kbytes Page：33 Pages | RichTek 立锜科技 |   | |
RT9460WSC | 封装/外壳：25-UFBGA，WLCSP 包装：管件 描述：IC BATT CHG LI-ION 1CELL 25WLCSP 集成电路（IC） 电池充电器 | ETC 知名厂家 | ETC | |
Electronic, 1 Pr #18 Str TC, PE Ins, OS, PVC Jkt, CM Product Description Electronic, 1 Pair 18AWG (16x30) Tinned Copper, PE Insulation, Overall Beldfoil® Shield, PVC Outer Jacket, CM | BELDEN 百通 | | ||
18 AWG stranded (16x30) TC conductors, polyethylene insulation 文件：98.37 Kbytes Page：2 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
30V N-Channel Power MOSFET 文件：145.99 Kbytes Page：6 Pages | ANALOGICTECH Advanced Analogic Technologies | | ||
16-Bit, 80 MSPS/105 MSPS ADC 文件：1.36654 Mbytes Page：32 Pages | AD 亚德诺 | | ||
16-Bit, 80 MSPS/105 MSPS ADC 文件：1.22912 Mbytes Page：33 Pages | AD 亚德诺 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RICHTEK |
21+ |
QFN |
1200 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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RICHTEK/立锜 |
24+ |
WQFN-16 |
12000 |
真实库存/绝无虚假/支持送货 |
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NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
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RICHTEK/立锜 |
21+ |
QFN |
4720 |
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RICHTEK |
23+ |
QFN |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
|||
RICHTEK/立锜 |
2450+ |
WLCSP |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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Richtek USA Inc. |
23+ |
16-WFQFN |
3600 |
特惠实单价格秒出原装正品假一罚万 |
|||
RICHTEK(台湾立锜) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
RICHTEK |
24+ |
QFN |
11000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
RICHTEK(台湾立锜) |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
RT9460WSC芯片相关品牌
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RT9728AHGE
进口代理
2023-5-15RT9293BGJ6
原装正品 RT9293BGJ6 RT9293 SOT23-6 DC/DC升压转换芯片
2021-12-29RT9193-3.3V 全新原装 大量现货
RT9193-3.3V 原装现货供应 0755-28892389 13713856319 QQ:2639752116
2021-3-12RT9711DGB 原装立錡现货
原厂很远 现货很近 坚持每一片芯片都来自原厂及授权渠道
2020-5-22RT9277BGF原装正品--假一赔十
瀚佳科技(深圳)有限公司 专业工厂一站式全套配单服务
2019-1-10RT9607/A-Dual通道同步整流降压MOSFET驱动器
RT9607/A-Dual通道同步整流降压MOSFET驱动器 RT9607/A是双电源沟道MOSFET驱动器专门设计的驱动器在四个功率N- MOSFET的同步整流降压转换器拓扑结构。这些立锜的一系列多相结合的驱动程序降压PWM控制器提供了一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。 RT9607/ A可以提供灵活的门为驾驶高侧和低侧驱动器。这使更多的灵活性 MOSFET的选择。 部分输出驱动器驱动一个3NF capble30/40ns负载的上升/下降时间与快速繁殖 从输入过渡延迟到了权力的大门MOSFET的。该设备实现上的引导需要
2012-11-5
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