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RT4N631C

TRANSISTORWITHRESISTOR

DESCRIPTION RT4N631CisasiliconNPNepitaxialtypetransistor. Thisproductismostsuitableformutingcircuit,switchingcircuitbecauseoflowonresistance,smallcollectortoemittersaturationvoltage. FEATURE ●Smallpackageforeasymounting. ●HighreversehFE ●Smallcollector

ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation

谏早电子谏早电子株式会社

ISAHAYA
更新时间:2025-5-23 23:00:00
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