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RT2N03M

COMPOUNDTRANSISTORWITHRESISTORFORSWITCHINGAPPLICATIONSILICONNPNEPITAXIALTYPE

DESCRIPTION RT2N03Misacompoundtransistorwithbuilt-inbiasresistor FEATURE ●Built-inbiasresistor(R1=10KΩ,R2=10KΩ) ●Minipackageforeasymounting APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit

ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation

Isahaya电子公司

ISAHAYA

N-Channel30V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

RT2N03M产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RT2N03M

  • 制造商

    ISAHAYA

  • 制造商全称

    Isahaya Electronics Corporation

  • 功能描述

    COMPOUND TRANSISTOR WITH RESISTOR FOR SWITCHING APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE

更新时间:2024-5-13 22:30:00
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