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RT1N436M	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N436Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P436X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=47kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation Isahaya电子公司
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RT1N436U	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N436Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P436X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=47kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation Isahaya电子公司

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更新时间：2024-5-18 23:00:00

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