RT1N434M晶体管资料
RT1N434M别名：RT1N434M三极管、RT1N434M晶体管、RT1N434M晶体三极管
RT1N434M生产厂家：日本三菱公司
RT1N434M制作材料：Si-N+R
RT1N434M性质：表面帖装型 （SMD）
RT1N434M封装形式：贴片封装
RT1N434M极限工作电压：50V
RT1N434M最大电流允许值：0.1A
RT1N434M最大工作频率：<1MHZ或未知
RT1N434M引脚数：3
RT1N434M最大耗散功率：0.3W
RT1N434M放大倍数：
RT1N434M图片代号：H-15
RT1N434Mvtest：50
RT1N434Mhtest：999900
- RT1N434Matest：.1
RT1N434Mwtest：.3
RT1N434M代换 RT1N434M用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RT1N434M | TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit. | ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation Isahaya电子公司 |  |   |
TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit. | ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation Isahaya电子公司 | | | |
silicondiode SILICONDIODE | ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |  | | |
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NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandinterfacecircuitanddrivecircuit applications Features •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess | SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SMD |
23+ |
NA |
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2018-12-30
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