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RSS08065S

SiC SBD

REASUNOS

瑞森半导体

丝印代码:HSC08065AC;Silicon Carbide Schottky Diode

Features: • Zero Reverse Recovery Current • Zero Forward Recovery Voltage • New Thin Wafer Technology • Positive Temperature Coefficient on VF • Temperature-independent Switching • Excellent surge current capability • 175°C Operating Junction Temperature Applications: • Switch Mode Power

HUIXIN

慧芯电子

丝印代码:HSC08065F;650V/8A SiC Schottky Diode

Features: • Zero reverse recovery current • Zero forward recovery voltage • New thin wafer technology • Positive temperature coefficient on VF • Temperature-independent switching • Excellent surge current capability • 175°C operating junction temperature Applications: • Switch Mode Power

HUIXIN

慧芯电子

8A竊?50V Silicon Carbide Diode

文件:66.56 Kbytes Page:3 Pages

KIA

可易亚半导体

Enhanced surge capability

文件:575.41 Kbytes Page:4 Pages

LITTELFUSE

力特

更新时间:2026-3-13 16:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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