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RSD150N06	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 40mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control	ISC 无锡固电	ISC
RSD150N06	4V Drive Nch MOSFET •4V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RSD150N06	丝印代码：TL；4V Drive Nch MOSFET 文件：1.17328 Mbytes Page：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSD150N06	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：2.38027 Mbytes Page：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
RSD150N06FRA	4V Drive Nch MOSFET (支持 AEC-Q101) 车载MOSFET与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。 •4V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RSD150N06FRA	4V Drive Nch MOSFET 文件：1.03773 Mbytes Page：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SII150N06	NPT IGBT Modules NPT IGBT Modules	SIRECTIFIER 矽莱克电子	SIRECTIFIER
SW150N06A	N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET 文件：739.54 Kbytes Page：6 Pages	SEMIPOWER 芯派科技	SEMIPOWER
YJP150N06AQ	丝印代码：YJP150N06AQ；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：569.69 Kbytes Page：6 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE

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更新时间：2026-8-1 19:38:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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RSM002N06T2L
RSM002N06T2L
2023-5-8
RSM485M
DIP8超紧凑封装设计，体积12.8x10.2x7.7mm 全自动报文收发，告别 RS485 方向控制管脚带来的固件兼容问题 3.3-5V超宽电源电压，带隔离输出电源脚集信号隔离与电源隔离功能于一身，2500VDC隔离耐压最多可连接 64个节点，最大波特率 500kbps 极低的电磁辐射 EME，极高电磁抗干扰 EMS
2020-11-2
RS73F2ATTD1002B， RS73F2ATTD2002B
RS73F2ATTD1002B， RS73F2ATTD2002B
2020-6-4
RSHN-2010
单相-EMC-EMI-Line-Filter-10A-250VAC-两级-端接块
2019-12-19
RSD080P05TL
MOSFET TRNSISTR 4V DRVE PCH MOSFET CPT PKG
2019-8-29
RS8702-04B
RS8702-04B 深圳市拓亿芯电子有限公司，本公司具备一般纳税人，可开16点增值税票，货源渠道保证原厂原装正品IC，诚信为本，薄利多销。
2019-3-7