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位置：首页 > IC中文资料第5148页 > RRS100

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
RRS100N03-TB

N-Channel20V(D-S)MOSFET

文件：1.00656 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
RRS100N03TB1

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：管件 描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
RRS100P03FRA

Pch-30V-10APowerMOSFET

文件：2.72766 Mbytes Page：15 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
RRS100P03HZG

Pch-30V-10APowerMOSFET

文件：2.7194 Mbytes Page：14 Pages

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
RRS100P03-TB

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

文件：1.00122 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
RRS100P03TB1

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

ROHM
100

1.3WattsAxialLeadedZenerDiodes

VOLTAGERANGE:2.4-200VPOWER:1.3Watts Features ●CompleteVoltageRange2.4to200Volts ●Highpeakreversepowerdissipation ●Highreliability ●Lowleakagecurrent

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

SUNMATE
100

PrecisionWirewoundResistors

100Series/SMSeries/PCSeries •Resistancesto6Megohms •ResistanceTolerancesto±0.005 •TemperatureCoeffcientsof±2ppm/°C •HighTCRAvailable(Balco&PlatinumWire) •100AcceptanceTested/TraceabletoNIST •LongTermStability/100ppm/year •MatchedResistanceSetst

Riedon

Riedon Inc.

Riedon
100

SHIELDEDSMTPOWERINDUCTORS

●FEATURE VarioushighpowerinductorareSuperior tobehighsaturationforsurfacemounting ●APPLICATIONS 2DC/DCconverterpowersupply, Telecommunicationequipment

PRODUCTWELLProductwell Precision Elect.CO.,LTD

寶德華股台灣寶德華股有限公司

PRODUCTWELL
100

TOGGLESWITCHES-MINIATURE

文件：1.55809 Mbytes Page：10 Pages

E-SWITCH

E-Switch, Inc.

E-SWITCH
100

100/200

文件：3.83844 Mbytes Page：2 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC1

RRS100产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RRS100

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

RRS100供应商更多...

更新时间：2024-4-27 8:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
瀚佳科技(深圳)有限公司
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Rohm
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深圳市特顺芯科技有限公司
RRS110N03TB1
RohmSemiconductor
07+/08+
8-SOIC
7500
询价

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