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Heterojunction Bipolar Transistor

1800--2800 MHz, 26.5 dB 33 dBm InGaP HBT The MMZ25332B is a 2--stage, high linearity InGaP HBT broadband amplifier designed for femtocell, picocell, WLAN (802.11g/n), W--CDMA, TD--SCDMA and LTE wireless broadband applications. It provides exceptional linearity for LTE and W--CDMA air interfaces w

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

ETC

知名厂家

RPC25332F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RPC25332F

  • 制造商

    Alpha 3 Manufacturing

更新时间:2025-12-29 12:00:02
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