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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

CSD19501KCS,80VN-ChannelNexFETPowerMOSFETs

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TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI1

195MHzSAWDelayLine25MHzBandwidth

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SIPATSIPAT Co,Ltd

胜普电子重庆胜普电子有限公司

SIPAT

SURFACEMOUNTDRUMCOREINDUCTOR

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RHOMBUS-IND

Rhombus Industries Inc.

RHOMBUS-IND

LCDModuleUserManual

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TOPWAYShenzhen TOPWAY Technology Co., Ltd

深圳拓普微深圳市拓普微科技开发有限公司

TOPWAY
更新时间:2025-6-13 8:48:01
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