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RN4909晶体管资料

  • RN4909别名：RN4909三极管、RN4909晶体管、RN4909晶体三极管

  • RN4909生产厂家：

  • RN4909制作材料：Si-P/N+R

  • RN4909性质：表面帖装型 （SMD）_RN2009+RN1009

  • RN4909封装形式：贴片封装

  • RN4909极限工作电压：

  • RN4909最大电流允许值：

  • RN4909最大工作频率：<1MHZ或未知

  • RN4909引脚数：6

  • RN4909最大耗散功率：

  • RN4909放大倍数：

  • RN4909图片代号：H-23

  • RN4909vtest：0

  • RN4909htest：999900

  • RN4909atest：0

  • RN4909wtest：0

  • RN4909代换 RN4909用什么型号代替：

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RN4909

Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications ● Includeing two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) ● With built-in bias resistors ● Simplify circuit design ● Reduce a quantity of parts and manufacturing process

TOSHIBA

东芝

RN4909

Bias resistor built-in transistor (BRT), 2-in-1

Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP + NPN\nInternal Connection：2-in-1 (Point-symmetrical)\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current (Q1) IC -0.1 A \nCollector Current (Q2) IC 0.1 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO -50 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO 50 V ;

TOSHIBA

东芝

RN4909FE

Bias resistor built-in transistor (BRT), 2-in-1

Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP + NPN\nInternal Connection：2-in-1 (Point-symmetrical)\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current (Q1) IC -0.1 A \nCollector Current (Q2) IC 0.1 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO -50 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO 50 V ;

TOSHIBA

东芝

RN4909FE

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications • Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. • Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enables the manufacture of ever more compact e

TOSHIBA

东芝

CDLL4909

TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

• TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES • LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT • 12.8 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGE ± 5 • LOW NOISE • METALLURGICALLY BONDED • DOUBLE PLUG CONSTRUCTION

CDI-DIODE

CDLL4909A

TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

• TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES • LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT • 12.8 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGE ± 5 • LOW NOISE • METALLURGICALLY BONDED • DOUBLE PLUG CONSTRUCTION

CDI-DIODE

L4909

EXTERNALLY ADJUSTABLE MULTIFUNCTION REGULATOR

DESCRIPTION It is a monolithic Multifunction Voltage Regulator; it contains 3 regulators, (REG1, REG2, REG3) each one with an enable input and a feedback input, to allow the voltage setting via external resistive divider. Each regulator is current limited and furthermore an OR-ed warning signal

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BU4909G

Low Voltage Detector IC

文件：269.71 Kbytes Page：6 Pages

ROHM

罗姆

RN4909产品属性

  • 类型

    描述

  • Package name：

    SOT-363 (US6)

  • Width×Length×Height(mm)：

    2.0 x 2.1 x 0.9

  • Number of pins：

    6

  • Surface mount package：

    Y

  • Polarity：

    PNP + NPN

  • Internal Connection：

    2-in-1 (Point-symmetrical)

  • Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：

    47

  • Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：

    22

  • Q1VCEO (Max)(V)：

    -50

  • Q1IC (Max)(A)：

    -0.1

  • Q2Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：

    47

  • Q2Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：

    22

  • Q2VCEO (Max)(V)：

    50

  • Q2IC (Max)(A)：

    0.1

  • AEC-Q101：

    Qualified(*)

RN4909供应商更多...

更新时间：2026-5-13 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
RN4910
TOSHIBA
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深圳市振宏微科技有限公司
RN4909,1.5SMC62CA,M74VHC1GT50DFT2G,P3
SOT-363SO
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原厂封装
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原装进口公司现货假一赔百
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TOSHIBA/东芝
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深圳市凯睿晟科技有限公司
RN4910
TOSHIBA/东芝
21+
363
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TOSHIBA
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SOT363
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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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RN4909规格书下载地址

RN4909参数引脚图相关

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    RN1723-I/RM100

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  • RN2706JE

    类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷（TR） 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻

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