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RN2609晶体管资料
RN2609别名：RN2609三极管、RN2609晶体管、RN2609晶体三极管
RN2609生产厂家：日本东芝公司
RN2609制作材料：Si-P+R
RN2609性质：表面帖装型 （SMD）_差分放大器射极输出 （Dual）
RN2609封装形式：贴片封装
RN2609极限工作电压：50V
RN2609最大电流允许值：0.8A
RN2609最大工作频率：<1MHZ或未知
RN2609引脚数：6
RN2609最大耗散功率：0.3W
RN2609放大倍数：
RN2609图片代号：H-23
RN2609vtest：50
RN2609htest：999900
- RN2609atest：0.8
RN2609wtest：0.3
RN2609代换 RN2609用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RN2609 | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit ● Including two devices in SM6 (super mini type with 6 leads) ● With built-in bias resistors. ● Simplify circuit design ● Reduce a quantity of parts and manufacturing process and miniaturize equipment. ● Various resistance | TOSHIBA 东芝 |   | |
Broadband Photodiode Module The 2609B is a packaged impedance-matched photodiode module with internal gain designed for use in optical broadband receivers in fiberoptic networks. The patented impedance-match technology results in improved gain-bandwidth product compared to external circuits due to better control of parasitic | EMCORE Emcore Corporation | | ||
2609B Broadband Photodiode Module Description The 2609B is a packaged impedance-matched photodiode module with internal gain designed for use in optical broadband receivers in fiber-optic networks. The patented impedance-match technology results in improved gain-bandwidth product compared to external circuits due to better contro | agere | | ||
2609C Broadband Photodiode Module Description The 2609C is a packaged impedance-matched photodiode module with internal gain designed for use in optical broadband receivers in fiber-optic networks. The patented impedance-match technology results in improved gain-bandwidth product compared to external circuits due to control of pa | agere | | ||
Simple Drive Requirement, Small Package Outline 文件：64.849 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile 文件：63.86 Kbytes Page：4 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | |
RN2609产品属性
- 类型
描述
- 型号
RN2609
- 制造商
TOSHIBA
- 制造商全称
Toshiba Semiconductor
- 功能描述
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type(PCT Process)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ROHM/罗姆 |
25+ |
SOD923 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
24+ |
5000 |
公司存货 |
|||||
TOSHIBA |
1706+ |
? |
6500 |
只做原装进口,假一罚十 |
|||
TOSHIBA |
1923+ |
SOT-163 |
35689 |
绝对进口原装现货库存特价销售 |
|||
TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
ROHM |
13+ |
O201 |
2235 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ROHM |
21+ |
SOD-923 |
21000 |
一级代理进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
|||
TOSHIBA |
23+ |
SOT23-6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
Sot-163 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
RN2609芯片相关品牌
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- rohs指令
- ROHS
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- RN2483
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RN2609数据表相关新闻
RN4020-VRMBEC133
进口代理
2023-4-7RN1723-I/RM100
RN1723-I/RM100
2023-3-27RN 1/4W 1K F T/B A1
属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4RN2706JE
类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷（TR） 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻
2020-10-15RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14RN4984FE绝对原装正品现货
瀚佳科技(深圳)有限公司 专业工厂一站式全套配单服务
2019-1-13
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