RN2322A规格书应用电路东芝供应代理商TOSHIBA-IC资料网

登录注册

芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
RN2322A	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件：206.86 Kbytes Page：11 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
T2322	SENSITIVE GATE TRIACs 2.5 AMPERES RMS 200 thru 600 VOLTS . . . designed primarily for ac power switching. The gate sensitivity of these triacs permits the use of economical transistorized or integrated circuit control circuits, and it enhances their use in low-power phase control and load-switching applications. • Very High Gate Sensitivity • Low On-S	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
NTE2322	Silicon PNP Transistor Quad, General Purpose 文件：22.29 Kbytes Page：2 Pages	NTE	NTE
TLV2322	LinCMOSE LOW-VOLTAGE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：502.66 Kbytes Page：33 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV2322IP	LinCMOSE LOW-VOLTAGE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：502.66 Kbytes Page：33 Pages	TI 德州仪器	TI
TLV2322Y	LinCMOSE LOW-VOLTAGE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：502.66 Kbytes Page：33 Pages	TI 德州仪器	TI

类型
描述
型号
RN2322A
制造商
TOSHIBA
制造商全称
Toshiba Semiconductor
功能描述
Silicon PNP Epitaxial Type(PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

RN2322A供应商更多...

更新时间：2026-8-3 8:13:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市晨豪科技有限公司	RN2322A	TOSHIBA/东芝	23+	SOT-323	89630	当天发货全新原装现货	询价

RN4020-VRMBEC133
进口代理
2023-4-7
RN1723-I/RM100
RN1723-I/RM100
2023-3-27
RN 1/4W 1K F T/B A1
属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型通孔功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型通孔功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4
RN2706JE
类别分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装带卷（TR）零件状态有源晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器）电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧电阻
2020-10-15
RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
RN4984FE绝对原装正品现货
瀚佳科技(深圳)有限公司专业工厂一站式全套配单服务
2019-1-13