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参考价格：￥0.1855

型号：RN2312(TE85L,F) 品牌：Toshiba 备注：这里有RN2312多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，RN2312批发/采购报价，RN2312行情走势销售排行榜，RN2312报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
RN2312	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit ● With built-in bias resistors. ● Simplify circuit design ● Reduce a quantity of parts and manufacturing process and miniaturize equipment. ● Various resistance values are available to suit various circuit designs. ● Complement	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN2312	Bias resistor built-in transistor (BRT)	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN2312(TE85L,F)	封装/外壳：SC-70，SOT-323 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置	ETC 知名厂家	ETC
2312	Bandpass Filter 文件：16.47 Kbytes Page：1 Pages	KR	KR
2312	Pneumatic muffler 文件：81.15 Kbytes Page：1 Pages	FESTOFesto Corporation. 费斯托费斯托（中国）有限公司	FESTO
2312	Nylon Hose Clamps 文件：116.22 Kbytes Page：1 Pages	HEYCO	HEYCO
2312	Zubehör / Accessories 文件：418.76 Kbytes Page：5 Pages	VISATON 威沙通	VISATON
2312-RC	High Current Toroid Inductors 文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS

RN2312供应商更多...

更新时间：2026-1-27 22:58:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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RN4020-VRMBEC133
进口代理
2023-4-7
RN1723-I/RM100
RN1723-I/RM100
2023-3-27
RN 1/4W 1K F T/B A1
属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型通孔功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型通孔功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4
RN2706JE
类别分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装带卷（TR）零件状态有源晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器）电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧电阻
2020-10-15
RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
RN4984FE绝对原装正品现货
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2019-1-13