型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RN2114MFV

Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications

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TOSHIBA

东芝

RN2114MFV

Bias resistor built-in transistor (BRT)

TOSHIBA

东芝

封装/外壳:SOT-723 包装:卷带(TR) 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

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百通

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NJRC

日本无线

RN2114MFV产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RN2114MFV

  • 功能描述

    开关晶体管 - 偏压电阻器 Neg 50volts 100mA 1.0Kohms x 10Kohms

  • RoHS

  • 制造商

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性

    NPN/PNP

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    200 mA

  • 最大工作频率

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V

  • 集电极连续电流

    150 mA

  • 功率耗散

    200 mW

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-11-22 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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NA/
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