位置:首页 > IC中文资料 > RN2113MFV

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RN2113MFV

Bias resistor built-in transistor (BRT)

Application Scope:General-purpose\nPolarity:PNP\nInternal Connection:Single\nComplementary Product:RN1113MFV\nAEC-Q101:Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:日本 / 泰国 Collector Current IC -0.1 A \nCollector-emitter voltage VCEO -50 V ;

TOSHIBA

东芝

RN2113MFV

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

文件:297.36 Kbytes Page:6 Pages

TOSHIBA

东芝

封装/外壳:SOT-723 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

ETC

知名厂家

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

The MPIC2113 is a high voltage, high speed, power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL outputs. Th

MOTOROLA

摩托罗拉

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

The MPIC2113 is a high voltage, high speed, power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL outputs. Th

MOTOROLA

摩托罗拉

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

The MPIC2113 is a high voltage, high speed, power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL outputs. Th

MOTOROLA

摩托罗拉

LOW VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER

文件:156.89 Kbytes Page:4 Pages

NJRC

日本无线

LOW VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER

文件:156.89 Kbytes Page:4 Pages

NJRC

日本无线

RN2113MFV产品属性

  • 类型

    描述

  • Package name:

    SOT-723 (VESM)

  • Width×Length×Height(mm):

    1.2 x 1.2 x 0.5

  • Number of pins:

    3

  • Surface mount package:

    Y

  • Polarity:

    PNP

  • Internal Connection:

    Single

  • Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ):

    47

  • Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ):

    Infinity

  • Q1VCEO (Max)(V):

    -50

  • Q1IC (Max)(A):

    -0.1

  • AEC-Q101:

    Qualified(*)

更新时间:2026-5-18 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOS
2016+
TO92
3000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
TOS
23+
NA
12000
全新原装假一赔十
TOSHIBA
22+
SOT723
20000
公司只做原装 品质保障
TOSHIBA
24+/25+
72000
原装正品现货库存价优
TOSHIBA/东芝
23+
SOT723
50000
全新原装正品现货,支持订货
TOSHIBA/东芝
2450+
TO92
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
NA
8560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
N/A
25+
NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
TOSHIBA
22+
TO-92
3000
原装正品,支持实单
TOSHIBA/东芝
24+
TO92
28347
只做全新原装进口现货

RN2113MFV数据表相关新闻

  • RN4020-VRMBEC133

    进口代理

    2023-4-7
  • RN1723-I/RM100

    RN1723-I/RM100

    2023-3-27
  • RN 1/4W 1K F T/B A1

    属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值(欧姆) 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值(欧姆) 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C

    2020-12-4
  • RN2706JE

    类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷(TR) 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻

    2020-10-15
  • RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块

    只做原装,假一罚十,可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO

    2019-3-14
  • RN4984FE绝对原装正品现货

    瀚佳科技(深圳)有限公司 专业工厂一站式全套配单服务

    2019-1-13