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参考价格：￥0.2690

型号：RN1966FE(TE85L,F) 品牌：Toshiba 备注：这里有RN1966FE多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，RN1966FE批发/采购报价，RN1966FE行情走势销售排行榜，RN1966FE报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
RN1966FE	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications. ● Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6 pin) package. ● Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
1966	MALE/FEMALE THREADED STANDOFFS 文件：310.8 Kbytes Page：1 Pages	KEYSTONE Keystone Electronics Corp.	KEYSTONE
1966	Cell phone TRRS Headset Earbud Headphones w/ Microphone 文件：126.38 Kbytes Page：2 Pages	Adafruit	Adafruit
A-1966	HVAC Duct Temperature Sensor 文件：106.23 Kbytes Page：2 Pages	AMPHENOL 安费诺	AMPHENOL
ADAU1966	16-Channel High Performance Differential Output DAC 文件：2.08725 Mbytes Page：52 Pages	AD 亚德诺	AD
ADAU1966	16-Channel High Performance 文件：2.61498 Mbytes Page：52 Pages	AD 亚德诺	AD

类型
描述
型号
RN1966FE
制造商
TOSHIBA
制造商全称
Toshiba Semiconductor
功能描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type(PCT process)(Bias Resistor built-in Transistor)

RN1966FE供应商更多...

更新时间：2025-11-24 20:00:00

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深圳市一线半导体有限公司	RN1966FESOT463-XXF	TOSHIBA	24+	SMD	366000	新进库存/原装	询价

RN4020-VRMBEC133
进口代理
2023-4-7
RN1723-I/RM100
RN1723-I/RM100
2023-3-27
RN 1/4W 1K F T/B A1
属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型通孔功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型通孔功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4
RN2706JE
类别分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装带卷（TR）零件状态有源晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器）电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧电阻
2020-10-15
RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
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2019-3-14
RN4984FE绝对原装正品现货
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2019-1-13