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MGF1801	MICROWAVE POWER GaAs FET DESCRIPTION The MGF1801B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic losses, and has a configuration suitable for microstrip circuits. FEATURES • Hig	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF1801	TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET?	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGFC1801	FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFIERS,N-CHANNEL SCHOTTKY BARRIER GATE TYPE? FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFIERS N-CHANNEL SCHOTTKY BARRIER GATE TYPE	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MRFIC1801	1.8 GHz TRANSMIT/RECEIVE ANTENNA SWITCH GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT Designed primarily for use in DECT, Japan Personal Handy System (PHS), other wireless Personal Communication Systems (PCS) applications, and 2.4 GHz ISM band applications. The MRFIC1801 is a single pole, double throw reflective antenna switch featuring low insertion loss and high power handling ca	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
UPA1801	N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION The µPA1801 is a switching device which can be driven directly by a 2.5-V power source. The µPA1801 features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. FEATURES • Can be dri	NEC 瑞萨	NEC

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更新时间：2026-5-15 19:15:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市赛尔通科技有限公司	MGF1801	MITSUBISH	23+	高频管	1280		询价
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RN4020-VRMBEC133
进口代理
2023-4-7
RN1723-I/RM100
RN1723-I/RM100
2023-3-27
RN 1/4W 1K F T/B A1
属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型通孔功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型通孔功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4
RN2706JE
类别分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装带卷（TR）零件状态有源晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器）电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧电阻
2020-10-15
RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
RN4984FE绝对原装正品现货
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2019-1-13