RN1501晶体管资料
RN1501别名：RN1501三极管、RN1501晶体管、RN1501晶体三极管
RN1501生产厂家：日本东芝公司
RN1501制作材料：Si-N+R
RN1501性质：表面帖装型 （SMD）_差分放大器射极输出 （Dual）
RN1501封装形式：贴片封装
RN1501极限工作电压：50V
RN1501最大电流允许值：0.1A
RN1501最大工作频率：<1MHZ或未知
RN1501引脚数：5
RN1501最大耗散功率：0.4W
RN1501放大倍数：
RN1501图片代号：H-21
RN1501vtest：50
RN1501htest：999900
- RN1501atest：0.1
RN1501wtest：0.4
RN1501代换 RN1501用什么型号代替：
RN1501价格
参考价格：￥0.3857
型号：RN1501(TE85L,F) 品牌：Toshiba 备注：这里有RN1501多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，RN1501批发/采购报价，RN1501行情走势销售排行榜，RN1501报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RN1501 | Bias resistor built-in transistor (BRT), 2-in-1 Application Scope：General-purpose\nPolarity：NPN×2\nInternal Connection：2-in-1 (Common emitter)\nComplementary Product：RN2501\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current (Q1) IC 0.1 A \nCollector Current (Q2) IC 0.1 A \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO 50 V \nCollector-emitter voltage (Q2) VCEO 50 V ; | TOSHIBA 东芝 |   | |
RN1501 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件：264.07 Kbytes Page：7 Pages | TOSHIBA 东芝 | | |
丝印代码：M1501；1.6 GHz GaAs LOW NOISE AMPLIFIER The MRFIC1501 is a low cost yet high performance two–stage, low–noise amplifier designed primarily for use in Global Positioning Satellite System (GPS) and other L–band satellite receivers. The broadband nature of the design makes the device applicable to a variety of L–band applications where hig | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
N - CHANNEL POWER MOS FET ARRAY SWITCHING TYPE SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N | NEC 瑞萨 | | ||
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PLLatinumTM 1.1 GHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：367.82 Kbytes Page：22 Pages | NSC 国半 | | ||
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RN1501产品属性
- 类型
描述
- Package name：
SOT-25 (SMV)
- Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.8 x 1.1
- Number of pins：
5
- Surface mount package：
Y
- Polarity：
NPN x 2
- Internal Connection：
2-in-1 (Common emitter)
- Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
4.7
- Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
4.7
- Q1VCEO (Max)(V)：
50
- Q1IC (Max)(A)：
0.1
- Q2Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
4.7
- Q2Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
4.7
- Q2VCEO (Max)(V)：
50
- Q2IC (Max)(A)：
0.1
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
24+ |
MSOP8 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
|||
TOSHIBA/东芝 |
2540+ |
SMV |
8595 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
SOT-153 |
25+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
TOSHIBA |
25+23+ |
New |
33683 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
2410+ |
con |
9000 |
十年芯路!只做原装!一直起卖! |
|||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
SOT-153 |
30000 |
原装正品现货假一赔十 |
|||
TOSHIBA |
SOT-153 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
24+ |
5000 |
公司存货 |
|||||
TOSHIBA/东芝 |
26+ |
SOT-153 |
30000 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
|||
Toshiba |
26+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
RN1501规格书下载地址
RN1501参数引脚图相关
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- sa28
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- s510b
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- s101
- s007
- rtl8100c
- rs触发器
- rohs指令
- ROHS
- RN1610
- RN1609
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- RN1605
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- RN1602
- RN1601
- RN1544
- RN152G
- RN152
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- RN1442
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2023-3-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb（512K x 8）
RMLV0408EGSB-4S2
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原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成
2022-4-24RN 1/4W 1K F T/B A1
属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4RN2706JE
类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷（TR） 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻
2020-10-15RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
DdatasheetPDF页码索引
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