位置:首页 > IC中文资料第6606页 > RN1444
RN1444晶体管资料
RN1444别名:RN1444三极管、RN1444晶体管、RN1444晶体三极管
RN1444生产厂家:日本东芝公司
RN1444制作材料:Si-N+R
RN1444性质:表面帖装型 (SMD)_开关管 (SW)_MUT
RN1444封装形式:贴片封装
RN1444极限工作电压:50V
RN1444最大电流允许值:0.3A
RN1444最大工作频率:<1MHZ或未知
RN1444引脚数:3
RN1444最大耗散功率:0.3W
RN1444放大倍数:
RN1444图片代号:H-15
RN1444vtest:50
RN1444htest:999900
- RN1444atest:0.3
RN1444wtest:0.3
RN1444代换 RN1444用什么型号代替:
RN1444价格
参考价格:¥0.4281
型号:RN1444ATE85LF 品牌:Toshiba 备注:这里有RN1444多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,RN1444批发/采购报价,RN1444行情走势销售排行榜,RN1444报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RN1444 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Muting And Switching Applications. ● High emitter-base voltage: VEBO = 25V (min) ● High reverse hFE: reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = −2V, IC = −4mA) ● Low on resistance: RON = 1Ω (typ.) (IB = 5mA) ● With built-in bias resistors ● Simplify circuit design ● Reduce a quantity of parts and | TOSHIBA 东芝 | ||
RN1444 | Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Muting And Switching Applications 文件:697.14 Kbytes Page:9 Pages | TOSHIBA 东芝 | ||
RN1444 | Bias resistor built-in transistor (BRT) | TOSHIBA 东芝 | ||
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | ETC 知名厂家 | ETC | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOL1444 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity and body diode characteristics. This device is ideally suited for use as a low side switch in CPU core power conversion.Standard Product AOL1444 is Pb-free (meets ROHS & Sony 2 | AOSMD 万国半导体 | |||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AOL1444 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity and body diode characteristics. This device is ideally suited for use as a low side switch in CPU core power conversion.Standard Product AOL1444 is Pb-free (meets ROHS & Sony 2 | AOSMD 万国半导体 | |||
Externally controlled motor speed regulation 文件:405.68 Kbytes Page:9 Pages | ALLEGRO | |||
Low-Voltage Full-Bridge Brushless DC Motor Driver 文件:405.68 Kbytes Page:9 Pages | ALLEGRO | |||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件:214.84 Kbytes Page:6 Pages | AOSMD 万国半导体 |
RN1444产品属性
- 类型
描述
- 型号
RN1444
- 制造商
TOSHIBA
- 制造商全称
Toshiba Semiconductor
- 功能描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type(PCT Process)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
9150 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
24+ |
SOT/23 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
||||
TOSHIBA |
24+ |
MSOP8 |
20000 |
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!! |
|||
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
SOT23-5 |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
|||
TOSHIBA |
23+ |
SOT-23 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
|||
TOSHIBA |
SOT-23 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
FIRSTRONELECTRONICCOMPONENTS |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
TOSHIBA/东芝 |
2023+ |
SOT-153 |
30000 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
2410+ |
con |
9000 |
十年芯路!只做原装!一直起卖! |
RN1444芯片相关品牌
RN1444规格书下载地址
RN1444参数引脚图相关
- sa950
- sa28
- s9018
- s9015
- s9014
- s9013
- s8550
- s8050三极管
- s8050
- s7-200
- s7200
- s5230
- s510b
- s1100
- s101
- s007
- rtl8100c
- rs触发器
- rohs指令
- ROHS
- RN1609
- RN1608
- RN1607
- RN1606
- RN1605
- RN1604
- RN1603
- RN1602
- RN1601
- RN1544
- RN152G
- RN152
- RN1511
- RN1510
- RN1509
- RN1508
- RN1507
- RN1506
- RN1505
- RN1504
- RN1503
- RN1502
- RN1501
- RN1443
- RN1442
- RN1441
- RN143
- RN142ZS
- RN142V
- RN142S
- RN142G
- RN1427
- RN1426
- RN1425
- RN1424
- RN1423
- RN1422
- RN1421
- RN142
- RN141TS
- RN141TG
- RN141S
- RN141G
- RN1413
- RN1412
- RN1411
- RN1410
- RN1409
- RN1408
- RN1407
- RN1406
- RN1405
- RN1404
RN1444数据表相关新闻
RN1723-I/RM100
RN1723-I/RM100
2023-3-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb(512K x 8)
RMLV0408EGSB-4S2
2022-4-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C
原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成
2022-4-24RN 1/4W 1K F T/B A1
属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值(欧姆) 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值(欧姆) 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4RN2706JE
类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷(TR) 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻
2020-10-15RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装,假一罚十,可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105
- P106