RN1401晶体管资料
RN1401别名：RN1401三极管、RN1401晶体管、RN1401晶体三极管
RN1401生产厂家：日本东芝公司
RN1401制作材料：Si-N+R
RN1401性质：表面帖装型 （SMD）
RN1401封装形式：贴片封装
RN1401极限工作电压：50V
RN1401最大电流允许值：0.1A
RN1401最大工作频率：<1MHZ或未知
RN1401引脚数：3
RN1401最大耗散功率：0.4W
RN1401放大倍数：
RN1401图片代号：H-15
RN1401vtest：50
RN1401htest：999900
- RN1401atest：0.1
RN1401wtest：0.4
RN1401代换 RN1401用什么型号代替：FA1L3M,DTC143EK,UN221L,2SC4362,
RN1401价格
参考价格：￥0.1484
型号：RN1401,LF 品牌：Toshiba 备注：这里有RN1401多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，RN1401批发/采购报价，RN1401行情走势销售排行榜，RN1401报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RN1401 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplified circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2401~RN2406 | TOSHIBA 东芝 |   | |
RN1401 | Bias resistor built-in transistor (BRT) Application Scope：General-purpose\nPolarity：NPN\nInternal Connection：Single\nComplementary Product：RN2401\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current IC 0.1 A \nCollector-emitter voltage VCEO 50 V ; | TOSHIBA 东芝 | | |
RN1401 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件：577.08 Kbytes Page：8 Pages | TOSHIBA 东芝 | | |
RN1401 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件：587.71 Kbytes Page：8 Pages | TOSHIBA 东芝 | | |
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=4.7K 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件：577.08 Kbytes Page：8 Pages | TOSHIBA 东芝 | | ||
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR? General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetim | POLYFET | | ||
Silicon PNP epitaxial planer transistor Silicon PNP epitaxial planer transistor For general amplification ■ Features ● Two elements incorporated into one package. (Emitter-coupled transistors) ● Reduction of the mounting area and assembly cost by one half. | PANASONIC 松下 | | ||
Silicon PNP epitaxial planer transistor Silicon PNP epitaxial planar type For general amplification ■ Features • Two elements incorporated into one package (Emitter-coupled transistors) • Reduction of the mounting area and assembly cost by one half | PANASONIC 松下 | | ||
Silicon NPN Phototransistors 文件：50.14 Kbytes Page：3 Pages | PANASONIC 松下 | | ||
Power plug for the universal mains 文件：166.26 Kbytes Page：20 Pages | PHILIPS 飞利浦 | |
RN1401产品属性
- 类型
描述
- Package name：
SOT-346 (S-Mini)
- Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.5 x 1.1
- Number of pins：
3
- Surface mount package：
Y
- Polarity：
NPN
- Internal Connection：
Single
- Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
4.7
- Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
4.7
- Q1VCEO (Max)(V)：
50
- Q1IC (Max)(A)：
0.1
- AEC-Q101：
Qualified(*)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
06+PB |
SOT23 |
2200 |
全新原装进口自己库存优势 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
SOT-23 |
20300 |
TOSHIBA/东芝原装特价RN1401即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
TOS |
2450+ |
SOT23 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
AUK |
2223+ |
SOT-23 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
|||
Bychip/百域芯 |
25+ |
SOT-23 |
20000 |
原装 |
|||
TOSHIBA |
16+ |
SOT-23 |
10000 |
进口原装现货/价格优势! |
|||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-23 |
1000 |
原装正品现货 |
|||
TOSHIBA |
26+ |
SOT-23 |
9526 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
SOT23-3 |
9800 |
全新原装现货,假一赔十 |
|||
TOSHIBA |
04+ |
SOT23-3 |
3000 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
RN1401规格书下载地址
RN1401参数引脚图相关
- sa950
- sa28
- s9018
- s9015
- s9014
- s9013
- s8550
- s8050三极管
- s8050
- s7-200
- s7200
- s5230
- s510b
- s1100
- s101
- s007
- rtl8100c
- rs触发器
- rohs指令
- ROHS
- RN1441
- RN1427
- RN1426
- RN1425
- RN1424
- RN1423
- RN1422
- RN1421
- RN141TG
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- RN1402
- RN-134
- RN1327A
- RN1326A
- RN1325A
- RN1324A
- RN1323A
- RN1322A
- RN1321A
- RN-131G
- RN-131C
- RN131C
- RN1318
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- RN1316
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- RN1244
- RN1243
- RN1242
- RN1241
- RN1227
- RN1226
- RN1225
RN1401数据表相关新闻
RN1723-I/RM100
RN1723-I/RM100
2023-3-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb（512K x 8）
RMLV0408EGSB-4S2
2022-4-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C
原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成
2022-4-24RN 1/4W 1K F T/B A1
属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4RN2706JE
类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷（TR） 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻
2020-10-15RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
DdatasheetPDF页码索引
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