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RN1225晶体管资料
RN1225别名:RN1225三极管、RN1225晶体管、RN1225晶体三极管
RN1225生产厂家:日本东芝公司
RN1225制作材料:Si-N+R
RN1225性质:
RN1225封装形式:直插封装
RN1225极限工作电压:50V
RN1225最大电流允许值:0.8A
RN1225最大工作频率:<1MHZ或未知
RN1225引脚数:3
RN1225最大耗散功率:0.3W
RN1225放大倍数:
RN1225图片代号:A-57
RN1225vtest:50
RN1225htest:999900
- RN1225atest:0.8
RN1225wtest:0.3
RN1225代换 RN1225用什么型号代替:
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RN1225 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications • High current type (IC(MAX) = 800mA) • With built-in bias resistors. • Simplify circuit design • Reduce a quantity of parts and manufacturing process • Low VCE (sat) • Complementary to RN2221~2227 | TOSHIBA 东芝 | ||
RN1225 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件:544.28 Kbytes Page:8 Pages | TOSHIBA 东芝 | ||
Appliance Inlet for Low Voltage, Screw-on Mounting, Rear Side, Solder Terminal 文件:180.43 Kbytes Page:1 Pages | SCHURTER 硕特 | |||
Variable RF Inductor 文件:93.66 Kbytes Page:2 Pages | YANTEL 研通高频 | |||
HIGH TEMPERATURE SERIES 文件:275.11 Kbytes Page:1 Pages | ASSUN | |||
STANDARD SERIES 文件:227.87 Kbytes Page:1 Pages | ASSUN | |||
64k Nonvolatile SRAM 文件:147.62 Kbytes Page:10 Pages | Dallas |
RN1225产品属性
- 类型
描述
- 型号
RN1225
- 制造商
TOSHIBA
- 制造商全称
Toshiba Semiconductor
- 功能描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type(PCT Process)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
01+ |
TO92 |
5600 |
全新原装进口自己库存优势 |
|||
TOSHIBA |
01+ |
TO-92S |
5000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO-92S |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
RECOM |
23+ |
DIP |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO-92S |
12000 |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
|||
TOSH |
25+ |
5000 |
公司现货库存 |
||||
TOSHIBA |
24+ |
TO92 |
92000 |
||||
TOSHIBA |
23+ |
TO92S |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
TOSHIBA |
25+ |
TO92S |
2991 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
TOSHIBA |
1651+ |
? |
6500 |
只做原装进口,假一罚十 |
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RN1225参数引脚图相关
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RN1723-I/RM100
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2023-3-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb(512K x 8)
RMLV0408EGSB-4S2
2022-4-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C
原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成
2022-4-24RN 1/4W 1K F T/B A1
属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值(欧姆) 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值(欧姆) 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4RN2706JE
类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷(TR) 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻
2020-10-15RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装,假一罚十,可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
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