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RN1210晶体管资料
RN1210别名：RN1210三极管、RN1210晶体管、RN1210晶体三极管
RN1210生产厂家：日本东芝公司
RN1210制作材料：Si-N+R
RN1210性质：表面帖装型 （SMD）
RN1210封装形式：直插封装
RN1210极限工作电压：50V
RN1210最大电流允许值：0.1A
RN1210最大工作频率：<1MHZ或未知
RN1210引脚数：3
RN1210最大耗散功率：0.1W
RN1210放大倍数：
RN1210图片代号：A-57
RN1210vtest：50
RN1210htest：999900
- RN1210atest：0.1
RN1210wtest：0.1
RN1210代换 RN1210用什么型号代替：RN1010,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RN1210 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications • With built-in bias resistors. • Simplify circuit design • Reduce a quantity of parts and manufacturing process • Complementary to RN2210, RN2211 | TOSHIBA 东芝 |   | |
RN1210 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件：252.12 Kbytes Page：4 Pages | TOSHIBA 东芝 | | |
RN1210 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) | TOSHIBA 东芝 | | |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件：252.12 Kbytes Page：4 Pages | TOSHIBA 东芝 | | ||
RF Coated Chokes (Axial Leads) 文件：133.96 Kbytes Page：2 Pages | FRONTIER | | ||
SMD High Power Precision Resistors 文件：199.3 Kbytes Page：6 Pages | MACOM | | ||
PC Board Mountable Pressure Sensor 文件：211.86 Kbytes Page：7 Pages | TEC 泰科电子 | | ||
Overcurrent protection device 文件：367.26 Kbytes Page：3 Pages | YINT 音特电子 | | ||
Aluminum Electrolytic Capacitors 文件：5.29445 Mbytes Page：66 Pages | KEMETKEMET Corporation 基美 | |
RN1210产品属性
- 类型
描述
- 型号
RN1210
- 制造商
TOSHIBA
- 制造商全称
Toshiba Semiconductor
- 功能描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type(PCT Process)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
6250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
TOSHIBA |
24+ |
TO-92 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
65248 |
百分百原装现货 实单必成 |
|||
TOSHIBA |
05+ |
TO-92 |
2350 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
TOS |
2023+ |
TO-92 |
3317 |
进口原装现货 |
|||
TOS |
96+ |
TO-92 |
200 |
原装进口 |
|||
TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
TOSHIBA |
23+ |
TO-92 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
TOSHIBA |
24+ |
TO-92 |
99000 |
||||
TOSHIBA |
1728+ |
? |
6500 |
只做原装进口,假一罚十 |
RN1210芯片相关品牌
RN1210规格书下载地址
RN1210参数引脚图相关
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- rohs指令
- ROHS
- RN1303
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- RN1223
- RN1222
- RN1221
- RN1220E
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- RN1113
- RN1112F
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2023-3-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb（512K x 8）
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2022-4-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C
原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成
2022-4-24RN 1/4W 1K F T/B A1
属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4RN2706JE
类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷（TR） 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻
2020-10-15RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
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