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RN1209晶体管资料
RN1209别名：RN1209三极管、RN1209晶体管、RN1209晶体三极管
RN1209生产厂家：日本东芝公司
RN1209制作材料：Si-N+R
RN1209性质：表面帖装型 （SMD）
RN1209封装形式：直插封装
RN1209极限工作电压：50V
RN1209最大电流允许值：0.1A
RN1209最大工作频率：<1MHZ或未知
RN1209引脚数：3
RN1209最大耗散功率：0.1W
RN1209放大倍数：
RN1209图片代号：A-57
RN1209vtest：50
RN1209htest：999900
- RN1209atest：0.1
RN1209wtest：0.1
RN1209代换 RN1209用什么型号代替：RN1009,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RN1209 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2207~2209 | TOSHIBA 东芝 |   | |
RN1209 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件：287.26 Kbytes Page：5 Pages | TOSHIBA 东芝 | | |
1209 4½˝ Stainless Steel Case Process Gauge FEATURES Solid front case design with full pressure relief back 4½˝ Dial size Accuracy: ±0.50% of span (ASME B40.100 Grade 2A) 316L Stainless steel case and ring Patented PLUS!™ Performance, dampens vibration, shock and pulsation effects | ASHCROFT 雅斯科 | | ||
STANDARD SERIES 文件：244.87 Kbytes Page：1 Pages | ASSUN | | ||
SPEED DRIVER INTEGRATED SERIES 文件：587.49 Kbytes Page：1 Pages | ASSUN | | ||
HIGH TEMPERATURE SERIES 文件：315.74 Kbytes Page：1 Pages | ASSUN | | ||
6V SUPER HEAVY DUTY 文件：151.53 Kbytes Page：2 Pages | ENERGIZER 劲量 | |
RN1209产品属性
- 类型
描述
- 型号
RN1209
- 制造商
TOSHIBA
- 制造商全称
Toshiba Semiconductor
- 功能描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type(PCT Process)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
4000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
TOSHIBA |
24+ |
TO-92 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
65248 |
百分百原装现货 实单必成 |
|||
TOSHIBA |
05+ |
TO-92 |
2350 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RECOM |
23 |
DIP |
55000 |
原厂渠道原装正品假一赔十 |
|||
TOS |
2023+ |
TO-92 |
3317 |
进口原装现货 |
|||
RECOM |
23+ |
SIPDIP |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
TOS |
96+ |
TO-92 |
200 |
原装进口 |
|||
TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
TOSHIBA |
23+ |
TO-92 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
RN1209芯片相关品牌
RN1209规格书下载地址
RN1209参数引脚图相关
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- s8050三极管
- s8050
- s7-200
- s7200
- s5230
- s510b
- s1100
- s101
- s007
- rtl8100c
- rs触发器
- rohs指令
- ROHS
- RN1302
- RN1301
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- RN1113
- RN1112F
- RN1112
- RN1111F
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- RN1103
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RN1723-I/RM100
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2023-3-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb（512K x 8）
RMLV0408EGSB-4S2
2022-4-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C
原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成
2022-4-24RN 1/4W 1K F T/B A1
属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4RN2706JE
类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷（TR） 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻
2020-10-15RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
DdatasheetPDF页码索引
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