RN1208晶体管资料
RN1208别名:RN1208三极管、RN1208晶体管、RN1208晶体三极管
RN1208生产厂家:日本东芝公司
RN1208制作材料:Si-N+R
RN1208性质:表面帖装型 (SMD)
RN1208封装形式:直插封装
RN1208极限工作电压:50V
RN1208最大电流允许值:0.1A
RN1208最大工作频率:<1MHZ或未知
RN1208引脚数:3
RN1208最大耗散功率:0.1W
RN1208放大倍数:
RN1208图片代号:A-57
RN1208vtest:50
RN1208htest:999900
- RN1208atest:0.1
RN1208wtest:0.1
RN1208代换 RN1208用什么型号代替:RN1008,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RN1208 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2207~2209 | TOSHIBA 东芝 | ||
RN1208 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件:287.26 Kbytes Page:5 Pages | TOSHIBA 东芝 | ||
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR? 40Watts Gemini Package Style AK HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, | POLYFET | |||
12-Bit, uP Compatible, Double-Buffered D to A Converters 文件:361.79 Kbytes Page:18 Pages | NSC 国半 | |||
12-Bit, uP Compatible, Double-Buffered D to A Converters 文件:361.79 Kbytes Page:18 Pages | NSC 国半 | |||
130 MHz/85 MHz RGB Video Amplifier System with Blanking 文件:917.6 Kbytes Page:23 Pages | NSC 国半 | |||
130 MHz/85 MHz RGB Video Amplifier System with Blanking 文件:917.6 Kbytes Page:23 Pages | NSC 国半 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
24+/25+ |
16400 |
原装正品现货库存价优 |
||||
RECOM |
25+ |
DIP |
55000 |
原厂渠道原装正品假一赔十 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO-92S |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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TOS |
22+ |
TO-92 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
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TOSHIBA |
18+ |
SOT-323 |
45225 |
全新 发货1-2天 |
|||
TOS |
96+ |
TO-92 |
200 |
原装进口 |
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TOSHIBA |
TO-92S |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
TOSHIBA |
23+ |
TO-92 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
RECOM |
24+ |
DIP8 |
5000 |
全新原装,一手货源,全场热卖! |
|||
TOSHIBA |
24+ |
TO-92 |
66000 |
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2023-3-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb(512K x 8)
RMLV0408EGSB-4S2
2022-4-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C
原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成
2022-4-24RN 1/4W 1K F T/B A1
属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值(欧姆) 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值(欧姆) 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4RN2706JE
类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷(TR) 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻
2020-10-15RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装,假一罚十,可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
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