位置：首页 > IC中文资料第4762页 > RN1113MFV
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RN1113MFV | Bias resistor built-in transistor (BRT) | TOSHIBA 东芝 |   | |
封装/外壳：SOT-723 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Miniature, 10W DIP Single & Dual Output DC/DC Converters 文件：171.29 Kbytes Page：2 Pages | MPD | | ||
Limit Alarms (potentiometer adj.) A-UNIT 文件：133.98 Kbytes Page：4 Pages | MSYSTEM 爱模 | | ||
Limit Alarms (potentiometer adj.) A-UNIT 文件：133.98 Kbytes Page：4 Pages | MSYSTEM 爱模 | | ||
Limit Alarms (potentiometer adj.) A-UNIT 文件：133.98 Kbytes Page：4 Pages | MSYSTEM 爱模 | | ||
Limit Alarms (potentiometer adj.) A-UNIT 文件：133.98 Kbytes Page：4 Pages | MSYSTEM 爱模 | |
RN1113MFV产品属性
- 类型
描述
- 型号
RN1113MFV
- 功能描述
开关晶体管 - 偏压电阻器 INCORRECT MOUSER P/N 47Kohms
- RoHS
否
- 制造商
ON Semiconductor
- 晶体管极性
NPN/PNP
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
200 mA
- 最大工作频率
集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V
- 集电极连续电流
150 mA
- 功率耗散
200 mW
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
43250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
TOSHIBA/东芝 |
2450+ |
SOD523 |
6540 |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
|||
TOSHIBA |
23+ |
NA |
20086 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
TOSHIBA/东芝 |
2223+ |
SOT-723 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT723 |
17500 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
TOSHIBA |
22+ |
SOT723 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
|||
TOSHIBA |
24+ |
SOD523 |
64580 |
原装现货假一赔十 |
|||
TOSHIBA |
1923+ |
SOT723 |
9600 |
原装公司现货假一罚十特价欢迎来电咨询 |
|||
TOSHIBA |
24+/25+ |
8000 |
原装正品现货库存价优 |
RN1113MFV芯片相关品牌
RN1113MFV规格书下载地址
RN1113MFV参数引脚图相关
- sa950
- sa28
- s9018
- s9015
- s9014
- s9013
- s8550
- s8050三极管
- s8050
- s7-200
- s7200
- s5230
- s510b
- s1100
- s101
- s007
- rtl8100c
- rs触发器
- rohs指令
- ROHS
- RN1220
- RN122
- RN1211
- RN1210
- RN1209
- RN1208
- RN1207
- RN1206
- RN1205
- RN1204
- RN1203
- RN1202
- RN1201
- RN114
- RN112
- RN-111B-S
- RN-111B-R
- RN-111B-EVAL
- RN-111B-E
- RN1119MFV(TPL3)
- RN1118MFV(TPL3)
- RN1118
- RN1117MFV(TPL3)
- RN1117MFV
- RN1117
- RN1116MFV(TPL3)
- RN1116(TE85L,F)
- RN1116
- RN1115MFV(TPL3)
- RN1115
- RN1114MFV(TPL3)
- RN1114MFV
- RN1114_07
- RN1114
- RN1113MFV(TPL3)
- RN1113FT
- RN1113FS(TPL3)
- RN1113F
- RN1113CT
- RN1113ACT
- RN1113(TE85L,F)
- RN1113(T5L,F,T)
- RN1113
- RN1112MFV(TPL3)
- RN1112MFV
- RN1112FT
- RN1112FS(TPL3)
- RN1112FS
- RN1112F
- RN1112CT(TPL3)
- RN1112CT
- RN1112ACT(TPL3)
- RN1112ACT
- RN1112_07
- RN1112
- RN1111F
- RN1111
- RN1110F
- RN1110
- RN1109F
- RN1109
- RN1108F
- RN1108
- RN1107F
- RN1107
- RN1106F
- RN1106
- RN1105F
- RN1105
- RN1104F
- RN1104
RN1113MFV数据表相关新闻
RN1723-I/RM100
RN1723-I/RM100
2023-3-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb（512K x 8）
RMLV0408EGSB-4S2
2022-4-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C
原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成
2022-4-24RN 1/4W 1K F T/B A1
属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4RN2706JE
类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷（TR） 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻
2020-10-15RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105
- P106
- P107
