位置：首页 > IC中文资料第4762页 > RN1113MFV
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RN1113MFV | Bias resistor built-in transistor (BRT) | TOSHIBA 东芝 |   | |
封装/外壳：SOT-723 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Miniature, 10W DIP Single & Dual Output DC/DC Converters 文件：171.29 Kbytes Page：2 Pages | MPD | | ||
Limit Alarms (potentiometer adj.) A-UNIT 文件：133.98 Kbytes Page：4 Pages | MSYSTEM 爱模 | | ||
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RN1113MFV产品属性
- 类型
描述
- 型号
RN1113MFV
- 功能描述
开关晶体管 - 偏压电阻器 INCORRECT MOUSER P/N 47Kohms
- RoHS
否
- 制造商
ON Semiconductor
- 晶体管极性
NPN/PNP
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
200 mA
- 最大工作频率
集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V
- 集电极连续电流
150 mA
- 功率耗散
200 mW
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
09+ |
SOT723 |
40000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
TOSHIBA |
22+ |
SOT723 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
|||
TOSHIBA |
1923+ |
SOT723 |
9600 |
原装公司现货假一罚十特价欢迎来电咨询 |
|||
TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
TOSHIBA/东芝 |
2223+ |
SOT-723 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
|||
TOSHIBA |
24+ |
SOT723 |
18560 |
假一赔十全新原装现货特价供应工厂客户可放款 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOT723 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT723 |
17500 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
SOT723 |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
|||
TOSHIBA |
24+/25+ |
8000 |
原装正品现货库存价优 |
RN1113MFV规格书下载地址
RN1113MFV参数引脚图相关
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- rtl8100c
- rs触发器
- rohs指令
- ROHS
- RN1220
- RN122
- RN1211
- RN1210
- RN1209
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- RN1206
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- RN1204
- RN1203
- RN1202
- RN1201
- RN114
- RN112
- RN-111B-S
- RN-111B-R
- RN-111B-EVAL
- RN-111B-E
- RN1119MFV(TPL3)
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- RN1118
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- RN1112MFV
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类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷（TR） 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻
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2019-3-14
DdatasheetPDF页码索引
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