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RM8233D23

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features Surface-mounted package Advanced trench cell design Extremely low threshold voltage ESD:2KV BV ≧ 20 V Ptot ≦ 16 W Id ≦ 15 A RDS(ON) ≦ 5.5 mΩ @ VGS = 4.5 V RDS(ON) ≦ 5.8 mΩ @ VGS = 3.9 V RDS(ON) ≦ 8.5 mΩ @ VGS = 2.5 V

RECTRON

丽正国际

更新时间:2025-8-18 23:01:00
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