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RM450N100TL

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features Surface-mounted package Advanced trench cell design Super Trench MSL1 BV ≥ 100V Ptot ≤ 500 W ID ≤ 450 A RDS(ON) ≤ 1.25 mΩ @ VGS = 10 V RDS(ON) ≤ 1.85 mΩ @ VGS = 6 V

RECTRON

丽正国际

RM450N100TL

MOSFET

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N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DACO

罡境电子

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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更新时间:2025-12-23 17:40:00
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