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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RM18N200T2 | 丝印代码：18N200；N-Channel Super Junction Power MOSFET Features New technology for high voltage device Low on-resistance and low conduction losses Small package Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements 100% Avalanche Tested ROHS compliant Halogen-free VDS =200V , ID =18A , VGS =10V , RDS(on) | RECTRON 丽正国际 |   | |
RM18N200T2 | MOSFET | RECTRON 丽正国际 | |
更新时间：2026-3-16 17:52:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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