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RM120N40LD | 丝印代码：120N40；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The RM120N40LD uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =120A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche volta | RECTRON 丽正国际 |   | |
RM120N40LD | 丝印代码：120N40；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The RM120N40LD uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =120A RDS(ON) | RECTRON 丽正国际 | | |
RM120N40LD | MOSFET | RECTRON 丽正国际 | | |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The RM120N40LD uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =120A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche volta | RECTRON 丽正国际 | | ||
MOSFET | RECTRON 丽正国际 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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RM1689 深圳市拓亿芯电子有限公司，本公司具备一般纳税人，可开16点增值税票， 货源渠道保证原厂原装正品IC，诚信为本，薄利多销。
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