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RM110N150T2

丝印代码:110N150;N-Channel Super Trench Power MOSFET

Description The RM110N150T2 uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high

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RM110N150T2

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更新时间:2026-3-18 20:00:00
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