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RM100N60AT2

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The RM100N60AT2 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Feature VDS =60V,ID =100A RDS(ON)

RECTRON

丽正国际

RM100N60AT2

MOSFET

RECTRON

丽正国际

更新时间:2025-12-23 15:14:00
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