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RM03P30D1E

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The RM03P30D1E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON). General Features VDS =- 30V,I D =- 0.3A RDS(ON)

RECTRON

丽正国际

RM03P30D1E

MOSFET

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更新时间:2025-12-20 17:00:00
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