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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
TK3P80E	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.9Ω(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=640V) (3)Enhancementmode:Vth=2.5to4.0V(VDS=10V,ID=0.3mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
GV3P80	Motorcircuitbreaker,TeSysGV3,3P,56-80A,thermalmagnetic,screwclampterminals 文件：182.22 Kbytes Page：3 Pages	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气
TK3P80E	iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：320.66 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

RJHSE-3P80供应商更多...

更新时间：2025-5-21 17:06:01

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北京京北通宇电子元件有限公司	TK3P80E,RQ	TOSHIBA	24+	con	10	现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格	询价

RJH60F5DPQ-A0#T0 晶体管 IGBT
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2020-11-11
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2019-3-7
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2019-1-9