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M24164	16KbitSerialI2CBUSEEPROM SUMMARYDESCRIPTION TheM24164isa16Kbit(2048x8)electricallyerasableprogrammablememory(EEPROM)accessedbyanI2C-compatiblebus.followingthebusmaster’s8-bittransmission.Whendataisreadbythebusmaster,thebusmasteracknowledgesthereceiptofthedatabyteinthesamew	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
M24164BN	16KbitSerialI2CBUSEEPROM SUMMARYDESCRIPTION TheM24164isa16Kbit(2048x8)electricallyerasableprogrammablememory(EEPROM)accessedbyanI2C-compatiblebus.followingthebusmaster’s8-bittransmission.Whendataisreadbythebusmaster,thebusmasteracknowledgesthereceiptofthedatabyteinthesamew	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
M24164MN	16KbitSerialI2CBUSEEPROM SUMMARYDESCRIPTION TheM24164isa16Kbit(2048x8)electricallyerasableprogrammablememory(EEPROM)accessedbyanI2C-compatiblebus.followingthebusmaster’s8-bittransmission.Whendataisreadbythebusmaster,thebusmasteracknowledgesthereceiptofthedatabyteinthesamew	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
M24164-R	16KbitSerialI2CBUSEEPROM SUMMARYDESCRIPTION TheM24164isa16Kbit(2048x8)electricallyerasableprogrammablememory(EEPROM)accessedbyanI2C-compatiblebus.followingthebusmaster’s8-bittransmission.Whendataisreadbythebusmaster,thebusmasteracknowledgesthereceiptofthedatabyteinthesamew	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
M24164-W	16KbitSerialI2CBUSEEPROM SUMMARYDESCRIPTION TheM24164isa16Kbit(2048x8)electricallyerasableprogrammablememory(EEPROM)accessedbyanI2C-compatiblebus.followingthebusmaster’s8-bittransmission.Whendataisreadbythebusmaster,thebusmasteracknowledgesthereceiptofthedatabyteinthesamew	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

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更新时间：2025-5-16 23:00:01

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	M24164W6	ST/意法	23+	SOP	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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?RHRP8120，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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深圳市大唐盛世半导体有限公司手机：17727572380。电话：0755-83226739QQ:626839837。微信号：15096137729
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RIC7113A4-抗辐射的高端和低端栅极驱动器
RIC7113A4是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器具有独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术，让坚固耐用单片式结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出。输出驱动器设有专为高脉冲电流缓冲级最小驱动器跨导。传播延迟相匹配，以简化高频应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道在高侧配置中的功率MOSFET或IGBT它的工作频率高达400伏。特点*总剂量能力100K拉德（四）*浮动通道引导操作设计*全面运作，以400V*耐负瞬态电压*的dV/dt的
2012-11-12

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