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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RHU003N03FRA | Nch 30V 300mA Small Signal MOSFET 文件：741.71 Kbytes Page：8 Pages | ROHM 罗姆 |   | |
RHU003N03FRA | 4V Drive Nch MOSFET (支持 AEC-Q101) | ROHM 罗姆 | | |
4V Drive Nch MOS FET 文件：64.45 Kbytes Page：3 Pages | ROHM 罗姆 | | ||
MOSFET - Power, Single, N-Channel 30 V, 98 A Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
MOSFET - Power, Single, N-Channel 30 V, 98 A Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
2.5V Drive Nch MOSFET 文件：223.35 Kbytes Page：5 Pages | ROHM 罗姆 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
NA/ |
6000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ROHM(罗姆) |
24+ |
UMT3 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
RICOH/理光 |
22+ |
SOT-89 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
FH |
2025+ |
SMD1206 |
325000 |
原装现货抗硫化车规薄膜电阻 |
|||
ROHM/罗姆 |
20+ |
SOT-323 |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
ROHM |
24+ |
SOT-323 |
6010 |
只做原装正品 |
|||
ROHM/罗姆 |
24+ |
SINGLE |
9000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
|||
ROHM/罗姆 |
2450+ |
SOT323 |
6540 |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
|||
ZXV |
20+ |
UMT3 |
90000 |
原装现货支持BOM配单服务 |
|||
ROHM |
21+ |
UMT3;SOT-323 |
80 |
只做原装鄙视假货15118075546 |
RHU003N03FRA规格书下载地址
RHU003N03FRA参数引脚图相关
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2020-4-22Ricoh低压差稳压器RP110N331D-TR-FE原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729
2019-11-26Ricoh低压差稳压器RP118K231D-TR原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729
2019-11-26RIC7113A4-抗辐射的高端和低端栅极驱动器
RIC7113A4是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器具有独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术，让坚固耐用单片式结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出。输出驱动器设有专为高脉冲电流缓冲级最小驱动器跨导。传播延迟相匹配，以简化高频应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道在高侧配置中的功率MOSFET或IGBT它的工作频率高达400伏。 特点 * 总剂量能力100K拉德（四） * 浮动通道引导操作设计 * 全面运作，以400 V * 耐负瞬态电压 * 的dV/ dt的
2012-11-12
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