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RHU002N06FRA	4V Drive Nch MOSFET 文件：1.18589 Mbytes Page：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RHU002N06FRA	4V Drive Nch MOSFET (支持 AEC-Q101)	ROHM 罗姆	ROHM
RHU002N06	Switching (60V, 200mA) 文件：62.9 Kbytes Page：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
NTBGS002N06C	MOSFET - Power, Single N-Channel, D2PAK7 60 V, 2.1 m, 211 A 文件：231.87 Kbytes Page：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
RJU002N06	2.5V Drive Nch MOS FET 文件：64.629 Kbytes Page：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RJU002N06FRA	2.5V Drive Nch MOSFET 文件：1.25801 Mbytes Page：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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更新时间：2025-12-22 23:01:00

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RHRP3060只做原装没有套路
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2024-10-21
RHT10
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2023-5-26
RHRP8120
?RHRP8120，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-22
Ricoh低压差稳压器RP110N331D-TR-FE原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司手机：17727572380 。电话：0755-83226739 Q Q:626839837。微信号：15096137729
2019-11-26
Ricoh低压差稳压器RP118K231D-TR原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司手机：17727572380 。电话：0755-83226739 Q Q:626839837。微信号：15096137729
2019-11-26
RIC7113A4-抗辐射的高端和低端栅极驱动器
RIC7113A4是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器具有独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术，让坚固耐用单片式结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出。输出驱动器设有专为高脉冲电流缓冲级最小驱动器跨导。传播延迟相匹配，以简化高频应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道在高侧配置中的功率MOSFET或IGBT它的工作频率高达400伏。特点 * 总剂量能力100K拉德（四） * 浮动通道引导操作设计 * 全面运作，以400 V * 耐负瞬态电压 * 的dV/ dt的
2012-11-12