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Low Capacitance Bi-directional ESD DIODE Features o Low operating voltage: 1.5V/ « Ultra low capacitance: 0.35pF (Typ) Ultra low leakage: nA level « Low clamping voltage o —IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: +18kV' Contact discharge: +16kV —IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) —IEC61000-4-5 (Lightning) 7A (8 | TECHPUBLIC 台舟电子 |   | ||
Low Capacitance Bi-directional ESD DIODE Features o Low operating voltage: 1.5V/ « Ultra low capacitance: 0.35pF (Typ) Ultra low leakage: nA level « Low clamping voltage o —IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: +18kV' Contact discharge: +16kV —IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) —IEC61000-4-5 (Lightning) 7A (8 | TECHPUBLIC 台舟电子 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-4-22Ricoh低压差稳压器RP110N331D-TR-FE原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729
2019-11-26Ricoh低压差稳压器RP118K231D-TR原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729
2019-11-26RIC7113A4-抗辐射的高端和低端栅极驱动器
RIC7113A4是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器具有独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术，让坚固耐用单片式结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出。输出驱动器设有专为高脉冲电流缓冲级最小驱动器跨导。传播延迟相匹配，以简化高频应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道在高侧配置中的功率MOSFET或IGBT它的工作频率高达400伏。 特点 * 总剂量能力100K拉德（四） * 浮动通道引导操作设计 * 全面运作，以400 V * 耐负瞬态电压 * 的dV/ dt的
2012-11-12
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