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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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RHS7J2D471J1K1H01B | 封装/外壳：径向 包装：卷带（TR） 描述：CAP CER 470PF 200V UNJ RADIAL 电容器 陶瓷电容器 | MURATA1Murata Manufacturing Co., Ltd 村田村田制作所 |  |   |
RHS7J2D471J1K1H01B | 封装/外壳：径向 包装：卷带（TR） 描述：CAP CER 470PF 200V UNJ RADIAL 电容器 陶瓷电容器 | MURATA1Murata Manufacturing Co., Ltd 村田村田制作所 | | |
更新时间：2025-5-12 14:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Murata Manufacturing |
2025+ |
215610 |
|||||
Murata Electronics |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
MURATA |
20+ |
电容器 |
7926 |
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2019-11-26RIC7113A4-抗辐射的高端和低端栅极驱动器
RIC7113A4是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器具有独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术，让坚固耐用单片式结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出。输出驱动器设有专为高脉冲电流缓冲级最小驱动器跨导。传播延迟相匹配，以简化高频应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道在高侧配置中的功率MOSFET或IGBT它的工作频率高达400伏。特点*总剂量能力100K拉德（四）*浮动通道引导操作设计*全面运作，以400V*耐负瞬态电压*的dV/dt的
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