型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

UMBRAADVANCEDDIFFUSED

Description UMBRAADVANCED600mmDiffusedLEDEmergencybatten-Tri-CCT

EKTOR

Evolt

EKTOR

12-Bit,10MHzSelf-Calibrating,PipelinedA/DConverterwithInternalSample&Hold

文件:322.44 Kbytes Page:17 Pages

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

NSC

12-Bit,10MHzSelf-Calibrating,PipelinedA/DConverterwithInternalSample&Hold

文件:322.44 Kbytes Page:17 Pages

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

NSC

12-Bit,10MHzSelf-Calibrating,PipelinedA/DConverterwithInternalSample&Hold

文件:278.84 Kbytes Page:16 Pages

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

NSC

12-Bit,5MHzSelf-Calibrating,PipelinedA/DConverter

文件:352.25 Kbytes Page:16 Pages

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

NSC

RHS12181F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RHS12181F

  • 制造商

    Alpha 3 Manufacturing

更新时间:2025-5-13 18:11:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TE
23+
NA
25800
TE全系列在售国内外渠道
TE/泰科
24+
17169
原厂现货渠道
AmericanElectricalInc
24+
530
TE/泰科
2508+
/
182881
一级代理,原装现货
American Electrical Inc.
23+
原厂封装
70661
只做原装只有原装现货实报
TE
7
全新原装 货期两周
TE/泰科
23+
NA/原装
82985
代理-优势-原装-正品-现货*期货
ROYAL
2015+ROHS
SMD
134000
自家原装现货优势价格出售长期供应
TE
5
TE/泰科
24+
S/N
44140
英特法电子只做原装正品,终端可以免费供样,支持BOM配单

RHS12181F芯片相关品牌

  • AAO
  • Fairchild
  • FRONTIER
  • GigaDevice
  • JAUCH
  • KEC
  • KEYSIGHT
  • LIGITEK
  • MINI
  • OMRON
  • QUALTEK
  • SENSITRON

RHS12181F数据表相关新闻

  • RHRP3060只做原装没有套路

    RHRP3060只做原装没有套路

    2024-10-21
  • RHT10

    RHT10

    2023-5-26
  • RHRP1560

    RHRP1560,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ:1755232575/QQ:1157611585,微信号:87680558.

    2021-3-2
  • RHRP8120

    ?RHRP8120,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-4-22
  • Ricoh低压差稳压器RP110N331D-TR-FE原装现货

    深圳市大唐盛世半导体有限公司手机:17727572380。电话:0755-83226739QQ:626839837。微信号:15096137729

    2019-11-26
  • RIC7113A4-抗辐射的高端和低端栅极驱动器

    RIC7113A4是一种高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器具有独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术,让坚固耐用单片式结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出。输出驱动器设有专为高脉冲电流缓冲级最小驱动器跨导。传播延迟相匹配,以简化高频应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道在高侧配置中的功率MOSFET或IGBT它的工作频率高达400伏。特点*总剂量能力100K拉德(四)*浮动通道引导操作设计*全面运作,以400V*耐负瞬态电压*的dV/dt的

    2012-11-12