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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Low VCE(sat) Transistor (??0V, ??A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.2V (Typ.) (IC/IB = −2A / −0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2150 / 2SC4115S. Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor | ROHM 罗姆 |   | ||
Low VCE(sat) Transistor (??0V, ??A) 文件：72.21 Kbytes Page：4 Pages | ROHM 罗姆 | |
更新时间：2025-10-24 20:00:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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