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Low VCE(sat) Transistor (??0V, ??A)

Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.2V (Typ.) (IC/IB = −2A / −0.1A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SD2150 / 2SC4115S. Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor

ROHM

罗姆

Low VCE(sat) Transistor (??0V, ??A)

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ROHM

罗姆

更新时间:2025-12-22 23:01:01
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